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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 高刻蚀速率腔刻蚀
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 Estrelas产地:欧洲PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 锥形通孔刻蚀
PlasmaPro100 EstrelasPlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统(MEMS)、 先进封装以及
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 光滑侧壁工艺
牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统(MEMS
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 广泛应用领域
PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在确保覆盖MEMS,先进封装和纳米技术的广泛应用,从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀,不需要更换腔室硬件就可以实现。硬件
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PlasmaPro100 Estrelas牛津仪器刻蚀设备
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备
的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形通孔刻蚀广泛的应用领域机械或静电压盘加热内衬 改善重复性延长
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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半导体检测仪 PlasmaPro100 Estrelas牛津仪器
PlasmaPro100Estrelas是为满足微电子机械系统(MEMS)、先进封装和纳米技术市场的各种工艺需求而设计的平台。它提供了灵活的工艺选择,包括光滑侧壁工艺、高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺
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